ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC857BHZGT116, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 350 мВт, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
BC857BHZGT116, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 350 мВт, SOT-…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC857BHZGT116, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 350 мВт, SOT-23, Surface Mount
Последняя цена
29 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT-23 -0.1A 210 to 480hFE -45V
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
BC857BHZGT116
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1157068
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
350мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
210hFE
Частота Перехода ft
250МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.002
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
350 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
210
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-23-3
Другие названия товара №
BC857BHZG
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
480
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
250 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
120 mV
Техническая документация
Datasheet BC857BHZGT116 , pdf
, 1377 КБ
Datasheet BC857BHZGT116 , pdf
, 1404 КБ
