BC856BW-7-F, Транзистор PNP, биполярный, 65В, 100мА, 200мВт, SOT323, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Малосигнальные PNP-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BC856BW-7-F

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2191648

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.01

Base Product Number

BC856 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

200MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-650 mV

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

200 MHz

Number of Elements per Chip

Length

2.2mm

Maximum Collector Base Voltage

-80 V

Transistor Configuration

Single

Brand

DiodesZetex

Maximum Collector Emitter Voltage

65 V

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Maximum Power Dissipation

200 mW

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

1.35mm

Maximum DC Collector Current

100 mA

Height

1mm

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 1mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

220

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Pd - Power Dissipation

200mW

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

2.2 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

220 at -2 mA, - 5 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC856B

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-323-3

Ширина

1.35 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

650 mV

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-950 mV

Техническая документация

Datasheet , pdf , 204 КБ
Datasheet , pdf , 215 КБ
Datasheet , pdf , 210 КБ

BC856BW-7-F, Транзистор PNP, биполярный, 65В, 100мА, 200мВт, SOT323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация