BC856B-7-F, Транзистор PNP, биполярный, 65В, 100мА, 350мВт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Малосигнальные PNP-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BC856B-7-F

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2120779

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.01

Base Product Number

BC856 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

200MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Length

3мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum Collector Emitter Voltage

65 В

Maximum Power Dissipation

300 мВт

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

1.4мм

Maximum DC Collector Current

100mA

Dimensions

3 x 1.4 x 1.1мм

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Pd - Power Dissipation

300mW

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

PNP

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Высота

1.1мм

Длина

3мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

1.4мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,65 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Максимальная рабочая частота

200 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,85 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

220

Техническая документация

Datasheet , pdf , 383 КБ
Datasheet , pdf , 355 КБ

BC856B-7-F, Транзистор PNP, биполярный, 65В, 100мА, 350мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация