ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC848CW-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 30В, 100мА, 200мВт, SOT323 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BC848CW-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 30В, 100мА, 200мВт, SOT323
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC848CW-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 30В, 100мА, 200мВт, SOT323
Последняя цена
9 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
BC848CW-7-F
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2168499
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.01
Transistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Pd - Power Dissipation
200mW
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
420 at 2 mA, 5 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC848C
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.35 mm
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
300 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
600 mV
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 197 КБ
Datasheet , pdf
, 194 КБ