BC848CE6327, Транзистор NPN, биполярный, 30В, 100мА, 330мВт, SOT23, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BC848CE6327

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2166538

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.06

Pd - рассеивание мощности

330 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC848

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Другие названия товара №

BC848CE6327XT SP000010552 BC848CE6327HTSA1

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

800

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Технология

Техническая документация

Datasheet , pdf , 886 КБ

BC848CE6327, Транзистор NPN, биполярный, 30В, 100мА, 330мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация