ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC848BWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 200 hFE - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
BC848BWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC848BWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 200 hFE
Последняя цена
31 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
BC848BWT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1157030
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
30В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-323
Рассеиваемая Мощность
150мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
200hFE
Частота Перехода ft
100мгц
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 106 КБ