BC848BWT106, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 56 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 1MA

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BC848BWT106

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157029

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-323

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

200hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.032

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.8 mm

Длина

2 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC848BW

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-323-3

Ширина

1.25 mm

Другие названия товара №

BC848BW

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

450

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.6 V

Техническая документация

Datasheet BC848BWT106 , pdf , 524 КБ
Datasheet BC848BWT106 , pdf , 963 КБ

BC848BWT106, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 56 руб.

Техническая документация