BC848BHZGT116, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА, 350 мВт, SOT-23, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 29 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 30V

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BC848BHZGT116

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157028

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стиль Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

350мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

200hFE

Частота Перехода ft

200МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

350 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

100 mA

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Другие названия товара №

BC848BHZG

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

450

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 mV

Техническая документация

Datasheet BC848BHZGT116 , pdf , 1359 КБ
Datasheet BC848BHZGT116 , pdf , 1364 КБ

BC848BHZGT116, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА, 350 мВт, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 29 руб.

Техническая документация