ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
Транзистор BC848B.235 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
Транзистор BC848B.235
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
Транзистор BC848B.235
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BC848B.235
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2474893
Технические параметры
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3мм
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Package Type
TO-236
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
1.4мм
Maximum DC Collector Current
100 mA
Pin Count
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
200
Высота
1мм
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
900 mV
Automotive Standard
AEC-Q101