ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC848ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
BC848ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА, 225 мВт, SOT-23,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC848ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount
Последняя цена
21 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
BC848ALT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1157026
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
30В
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
225мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
110hFE
Частота Перехода ft
100мгц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.03
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
BCxxx Series
Техническая документация
Datasheet BC848ALT1G , pdf
, 173 КБ