ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC847BVN,115, Транзисторная сборка NPN/PNP 45В 0.1A [SOT-666] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC847BVN,115, Транзисторная сборка NPN/PNP 45В 0.1A [SOT-666]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC847BVN,115, Транзисторная сборка NPN/PNP 45В 0.1A [SOT-666]
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BC847BVN,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758555
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.1
Transistor Configuration
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN, PNP
Размеры
0.6 x 1.7 x 1.3мм
Высота
0.6мм
Длина
1.7мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.3мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Количество элементов на ИС
2
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Тип корпуса
SSMini
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,755 В
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 202 КБ
Datasheet BC847BVN.115 , pdf
, 200 КБ