BC847BT116, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-23, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 61 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 45V 1MA

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BC847BT116

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157013

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

45В

Стиль Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

200hFE

Частота Перехода ft

200МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.03

Pd - рассеивание мощности

350 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.95 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC847B

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Другие названия товара №

BC847B

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

200 at 2 mA at 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

200 MHz

Техническая документация

Datasheet BC847BT116 , pdf , 1368 КБ
Datasheet BC847BT116 , pdf , 98 КБ

BC847BT116, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 61 руб.

Техническая документация