ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC847AQBZ, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 мА, 420 мВт, DFN1110D, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC847AQBZ, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 мА, 420 мВт, DFN1110D…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC847AQBZ, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 мА, 420 мВт, DFN1110D, Surface Mount
Последняя цена
56 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BC847AQBZ
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1156989
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Стиль Корпуса Транзистора
DFN1110D
Рассеиваемая Мощность
420мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
110hFE
Частота Перехода ft
100мгц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.03
Base Product Number
BC847 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
110 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Power - Max
340mW
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
DFN1110D-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
BC847xQB Series
Pd - рассеивание мощности
340 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
110 at 2mA, 5 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
5000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
DFN1110D-3
Другие названия товара №
934660996147
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
220 at 2 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Series
BC847xQB ->
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
200 mV
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 227 КБ
Datasheet , pdf
, 226 КБ