ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC847AE6327HTSA1BC 847A E6327 SP000010571 INF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BC847AE6327HTSA1BC 847A E6327 SP000010571 INF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BC847AE6327HTSA1BC 847A E6327 SP000010571 INF
Последняя цена
9 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы импортные
Примечание: !
Биполярный (BJT) транзистор NPN 45V 100mA 250MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BC847AE6327HTSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2068859
Технические параметры
Base Product Number
BC847 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Power - Max
330mW
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA