BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 100 мА, 460 мВт, X2-DFN1006, Surface Mount, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 50 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Малосигнальные NPN-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BC846BLP4-7B

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1156974

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

65В

Стиль Корпуса Транзистора

X2-DFN1006

Рассеиваемая Мощность

460мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

200hFE

Частота Перехода ft

300МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.005

Base Product Number

BC846 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

3-XFDFN

Power - Max

410mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

X2-DFN1006-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Линейка Продукции

BC846 Series

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN-NO/NC

Размеры

1.05 x 0.65 x 0.35мм

Pd - рассеивание мощности

1 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.35мм

Длина

1.05мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200 at 2 mA at 5 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.2 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

0.2 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

10000

Серия

BC846

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

X2-DFN1006-3

Ширина

0.65мм

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

450 at 2 mA at 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 мВ

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

220 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

300 MHz

Число контактов

Тип корпуса

X2-DFN1006

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

900 мВ

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

450

Техническая документация

Datasheet , pdf , 402 КБ
Datasheet BC846BLP4-7B , pdf , 394 КБ

BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 100 мА, 460 мВт, X2-DFN1006, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 50 руб.

Техническая документация