BC846BHZGT116, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 120 мА, 200 мВт, SOT-23, Surface Mount, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 68 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL NPN

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BC846BHZGT116

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1156973

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

65В

Стиль Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

120мА

DC Усиление Тока hFE

200hFE

Частота Перехода ft

300МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.1

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

350 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

120 mA

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

120 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка

Reel, Cut Tape

Упаковка / блок

SOT-23-3

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

450

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

170 mV

Техническая документация

Datasheet BC846BHZGT116 , pdf , 1401 КБ

BC846BHZGT116, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 120 мА, 200 мВт, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 68 руб.

Техническая документация