ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC846AW-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 65В, 100мА, 200мВт, SOT323 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BC846AW-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 65В, 100мА, 200мВт, SOT323
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC846AW-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 65В, 100мА, 200мВт, SOT323
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Малосигнальные NPN-транзисторы, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
BC846AW-7-F
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2172870
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.01
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
0.1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC846
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.35мм
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
300 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
600 мВ
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
200 mV
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 V
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
900 мВ
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
110
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 370 КБ
Datasheet , pdf
, 194 КБ