ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC817RAPNZ, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 45 В, 500 мА, 500 мВт, 40 hFE, DFN1412 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC817RAPNZ, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 45 В, 500 мА, 50…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC817RAPNZ, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 45 В, 500 мА, 500 мВт, 40 hFE, DFN1412
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT BC817RAPN/SOT1268 DFN1412-6
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BC817RAPNZ
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1156964
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Стиль Корпуса Транзистора
DFN1412
Рассеиваемая Мощность
500мВт
Полярность Транзистора
NPN, PNP
DC Ток Коллектора
500мА
DC Усиление Тока hFE
40hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.012
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
500 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
160
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
500 mA
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
500 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
5000
Серия
BC817
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
DFN1412-6
Другие названия товара №
934070166147
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
400
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
700 mV
Техническая документация
Datasheet BC817RAPNZ , pdf
, 276 КБ
Datasheet BC817RAPNZ , pdf
, 278 КБ