BC817-25W,115 Транзисторы малосигнальные NEXPERIA, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы импортные

Примечание: !

Малосигнальные NPN-транзисторы, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BC817-25W,115

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2069816

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.35мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Base Product Number

BC817 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Power - Max

200mW

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

2.2мм

Другие названия товара №

934021930115

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC817

Технология

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Тип транзистора

NPN

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-323-3

Тип корпуса

UMT

Размеры

1 x 2.2 x 1.35мм

Transistor Configuration

Одинарный

Производитель

Nexperia

Число контактов

Квалификация

AEC-Q101

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Максимальная Рабочая Частота

100 МГц

Pd - Power Dissipation

200mW

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

500mA

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Frequency - Transition

100MHz

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.7 V

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

160 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

160 at 100 mA, 1 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Техническая документация

Datasheet BC817-16W,115 , pdf , 354 КБ
Datasheet , pdf , 275 КБ
BC817W_SER-1598709 , pdf , 277 КБ

BC817-25W,115 Транзисторы малосигнальные NEXPERIA - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация