ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC817-16W,115, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 500 мА, 250 мВт, TO-236AB, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC817-16W,115, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 500 мА, 250 мВт, TO-2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC817-16W,115, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 500 мА, 250 мВт, TO-236AB, Surface Mount
Последняя цена
33 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BC817-16W,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1156943
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-236AB
Рассеиваемая Мощность
250мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
500мА
DC Усиление Тока hFE
100hFE
Частота Перехода ft
100мгц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Transistor Type
NPN
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
BC817 Series
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2мм
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
45 В
Maximum Power Dissipation
200 мВт
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Maximum DC Collector Current
500 мА
Height
1мм
Pin Count
3
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1мм
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Minimum DC Current Gain
100
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Pd - Power Dissipation
200mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.5 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.35мм
Другие названия товара №
BC817-16W T/R
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Тип корпуса
SOT-323
Automotive Standard
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet BC817-16W,115 , pdf
, 354 КБ
Datasheet , pdf
, 275 КБ
Datasheet , pdf
, 277 КБ