ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC817-16LT1G, Транзистор NPN 45В 0.5А 0.31Вт [SOT-23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC817-16LT1G, Транзистор NPN 45В 0.5А 0.31Вт [SOT-23]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC817-16LT1G, Транзистор NPN 45В 0.5А 0.31Вт [SOT-23]
Последняя цена
5 руб.
Сравнить
Описание
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo: 45V; Current, Ic Continuous a Max: 500mA; Voltage, Vce Sat Max: 0.7V; Power Dissipation: 300mW; Hfe, Min: 100; ft, Typ: 100MHz; Case Style: SOT-23; Termination Type: SMD
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BC817-16LT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758522
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
100…250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0.225
Корпус
sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
100
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 197 КБ
Datasheet , pdf
, 197 КБ
BC817-16LT1-D , pdf
, 87 КБ
BC817 BC337 , pdf
, 169 КБ