ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC807DS, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BC807DS, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC807DS, Транзистор
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы PNP общего назначения, Nexperia
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BC807DS
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1812377
Технические параметры
Вес, г
0.1
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-700 mV
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Length
3.1мм
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Transistor Configuration
Isolated
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
TSOP
Maximum Power Dissipation
370 mW
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
1.7мм
Maximum DC Collector Current
500 мА
Height
1мм
Pin Count
6
Dimensions
3.1 x 1.7 x 1mm
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Minimum DC Current Gain
40
