ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC68PASX, Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А, 420 мВт, DFN2020D, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC68PASX, Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А, 420 мВт, DFN2020D, Su…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC68PASX, Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А, 420 мВт, DFN2020D, Surface Mount
Последняя цена
92 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 2A NPN Medium Power Transistors
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BC68PASX
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1156858
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
20В
Стиль Корпуса Транзистора
DFN2020D
Рассеиваемая Мощность
420мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
2А
DC Усиление Тока hFE
40hFE
Частота Перехода ft
170МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
BC68 Series
Pd - рассеивание мощности
1.65 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
85 at 500 mA, 1 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
3 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
32 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
2 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
DFN2020D-3
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
375 at 500 mA, 1 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
170 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
600 mV
Техническая документация
Datasheet BC68PASX , pdf
, 645 КБ