ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC547BBU, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.63Вт [TO-92] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC547BBU, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.63Вт [TO-92]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC547BBU, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.63Вт [TO-92]
Последняя цена
5 руб.
Сравнить
Описание
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BC547BBU
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758474
Технические параметры
Вес, г
0.3
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
4.58mm
Maximum Collector Base Voltage
50 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
TO-92
Maximum Power Dissipation
500 mW
Width
3.86mm
Maximum DC Collector Current
100 мА
Height
4.58mm
Pin Count
3
Dimensions
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Minimum DC Current Gain
110
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
900 mV