ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AUIRL3705Z, Транзистор N-CH 55V 61A TO-220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
AUIRL3705Z, Транзистор N-CH 55V 61A TO-220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AUIRL3705Z, Транзистор N-CH 55V 61A TO-220AB
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности, Infineon
Комплексный портфель Infineon, состоящий из однокристальных N-канальных устройств AECQ-101, отвечающих требованиям автомобильной промышленности, удовлетворяет широкий спектр требований к питанию во многих приложениях. Этот диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые могут удовлетворить практически любую компоновку платы и проблему теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
AUIRL3705Z
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1814702
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
TO-220AB
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
75 A, 86 A
Maximum Power Dissipation
130 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.83mm
Height
9.02mm
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N