ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AUIRGP4063D-E, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
AUIRGP4063D-E, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
AUIRGP4063D-E, IGBT
Последняя цена
610 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Co-Pack IGBT более 21A, Infineon
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику широкий спектр возможностей для обеспечения защиты вашего приложения. Высокие показатели эффективности позволяют использовать этот диапазон IGBT в самых разных приложениях и могут поддерживать различные частоты переключения благодаря низким коммутационным потерям.
Транзисторы IGBT, International Rectifier
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
AUIRGP4063D-E
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1150916
Технические параметры
Тип корпуса
TO-247AD
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Package Type
TO-247AD
Base Product Number
AUIRGP4063 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247AD
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
15.87mm
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
96 A
Maximum Power Dissipation
330 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.13mm
Height
20.7mm
Pin Count
3
Dimensions
15.87 x 5.13 x 20.7mm
Switching Speed
30kHz
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
96 A
Максимальное рассеяние мощности
330 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 C
Число контактов
3
Скорость переключения
30кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
100A
Current - Collector Pulsed (Icm)
144A
Gate Charge
140nC
Power - Max
330W
Switching Energy
625ВµJ (on), 1.28mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
60ns/145ns
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 48A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
115ns
Максимальная рабочая температура
+175 C
Страна происхождения
MX
IGBT Type
Trench
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet , pdf
, 326 КБ
Datasheet AUIRGP4063D-E , pdf
, 440 КБ