ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AUIRGDC0250, IGBT, 141 A 1200 V, 3-Pin TO-220 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
AUIRGDC0250, IGBT, 141 A 1200 V, 3-Pin TO-220
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
AUIRGDC0250, IGBT, 141 A 1200 V, 3-Pin TO-220
Последняя цена
770 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Один IGBT более 21 А, Infineon
Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и обеспечивающие пользователю наивысшую доступную эффективность. Использование диодов FRED, оптимизированных для обеспечения наилучшей производительности с IGBT.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
AUIRGDC0250
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1150912
Технические параметры
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Package Type
TO-220
Base Product Number
AUIRGDC0250 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SUPER-220в„ў (TO-273AA)
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
11mm
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
141 A
Maximum Power Dissipation
543 W
Energy Rating
16mJ
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.74mm
Height
15mm
Pin Count
3
Dimensions
11 x 4.74 x 15mm
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Gate Capacitance
3804pF
Длина
11мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
141 A
Максимальное рассеяние мощности
543 W
Номинальная энергия
16mJ
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15мм
Число контактов
3
Размеры
11 x 4.74 x 15mm
Скорость переключения
1МГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Емкость затвора
3804pF
Current - Collector (Ic) (Max)
141A
Current - Collector Pulsed (Icm)
99A
Gate Charge
227nC
Power - Max
543W
Switching Energy
15mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
-/485ns
Test Condition
600V, 33A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.57V @ 15V, 33A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Техническая документация
Datasheet AUIRGDC0250 , pdf
, 433 КБ