ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AUIRFZ34N, Транзистор N-МОП, полевой, 55В, 26А, 68Вт, TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
AUIRFZ34N, Транзистор N-МОП, полевой, 55В, 26А, 68Вт, TO220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
AUIRFZ34N, Транзистор N-МОП, полевой, 55В, 26А, 68Вт, TO220AB
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
N-канальный силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности, Infineon
Комплексный портфель Infineon, состоящий из однокристальных N-канальных устройств AECQ-101, отвечающих требованиям автомобильной промышленности, удовлетворяет широкий спектр требований к питанию во многих приложениях. Этот диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые могут удовлетворить практически любую компоновку платы и проблему теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
AUIRFZ34N
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2171577
Технические параметры
Вес, г
1.96
Тип корпуса
TO-220AB
Ширина
4.83мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Серия
HEXFET
Длина
10.75мм
Высота
16.13мм
Размеры
10.75 x 4.83 x 16.13мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Производитель
Infineon
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
29 А
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
700 пФ при -25 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
31 ns
Типичное время задержки включения
7 нс
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 10 В
Maximum Gate Threshold Voltage
4V