AUIRFU8401, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 40В, 71А, 79Вт, IPAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 260 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

COOLiRFET ™ Power MOSFET, Infineon
Силовые MOSFET COOLiRFET ™ от Infineon, сертифицированные для автомобильной промышленности, имеют очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS (on)), очень низкие потери проводимости, в результате в высокоэффективных скоростях переключения сильноточных сигналов. Они обеспечивают более высокую эффективность, удельную мощность и надежность в жестких условиях передачи сигналов с устойчивыми лавинными характеристиками, низкими потерями проводимости, высокой скоростью переключения и максимальной температурой перехода 175 ° C.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

AUIRFU8401

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2183082

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.44

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Brand

Infineon

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

2.38 mm

Height

6.22mm

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

IPAK (TO-251)

Width

2.39mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

COOLiRFET

Торговая марка

Infineon / IR

Длина

6.73 mm

Высота

6.22 mm

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

79 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

198 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-251-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

79 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.25 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.9 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Power Dissipation

79 W

Series

COOLiRFET

Maximum Drain Source Resistance

4.2 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

42 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Qg - заряд затвора

42 nC

Время нарастания

34 ns

Время спада

24 ns

Коммерческое обозначение

CoolIRFet

Типичное время задержки выключения

25 ns

Типичное время задержки при включении

7.9 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

42 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Квалификация

AEC-Q101

AUIRFU8401, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 40В, 71А, 79Вт, IPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 260 руб.