ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AUIRFS8409-7P, Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
AUIRFS8409-7P, Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive 7-Pin(6+Tab) D…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AUIRFS8409-7P, Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
Последняя цена
353 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
COOLiRFET ™ Power MOSFET, Infineon
Силовые MOSFET
COOLiRFET ™
от Infineon, сертифицированные для автомобильной промышленности, имеют очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS (on)), очень низкие потери проводимости, в результате в высокоэффективных скоростях переключения сильноточных сигналов. Они обеспечивают более высокую эффективность, удельную мощность и надежность в жестких условиях передачи сигналов с устойчивыми лавинными характеристиками, низкими потерями проводимости, высокой скоростью переключения и максимальной температурой перехода 175 ° C.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
AUIRFS8409-7P
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2399827
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263(D2PAK)
Рассеиваемая Мощность
375Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
40В
Непрерывный Ток Стока
240А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
550мкОм
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Transistor Mounting
Surface Mount
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Ширина
9.25 mm
Высота
4.4 mm
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Brand
Infineon
Series
COOLiRFET
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
7
Typical Gate Charge @ Vgs
305 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Id - непрерывный ток утечки
522 A
Pd - рассеивание мощности
375 W
Qg - заряд затвора
305 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
750 uOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
148 ns
Время спада
107 ns
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolIRFet
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
176 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
149 ns
Типичное время задержки при включении
32 ns
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка / блок
TO-263-7
Упаковка
Tube
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
240 A, 522 A
Maximum Power Dissipation
375 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.65mm
Height
4.83mm
Maximum Drain Source Resistance
750 μΩ
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Квалификация
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 278 КБ
Datasheet AUIRFS8409-7P , pdf
, 294 КБ