ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AUIRFS3107-7P, Trans MOSFET N-CH Si 75V 260A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
AUIRFS3107-7P, Trans MOSFET N-CH Si 75V 260A Automotive 7-Pin(6+Tab) D…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AUIRFS3107-7P, Trans MOSFET N-CH Si 75V 260A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
Последняя цена
393 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
N-канальный силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности, Infineon
Комплексный портфель Infineon, состоящий из однокристальных N-канальных устройств AECQ-101, отвечающих требованиям автомобильной промышленности, удовлетворяет широкий спектр требований к питанию во многих приложениях. Этот диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые могут удовлетворить практически любую компоновку платы и проблему теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
AUIRFS3107-7P
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2399747
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
240 A, 260 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
370 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65mm
Высота
4.83мм
Transistor Material
Si
Количество элементов на ИС
1
Length
10.67mm
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Pin Count
7
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Длина
10.67mm
Серия
HEXFET
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
7
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
240 A, 260 A
Maximum Power Dissipation
370 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.65mm
Height
4.83mm
Maximum Drain Source Resistance
2.6 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
