ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AUIRF7316QTR, Auto Q101 2Pкан -30В -4.9А SO8 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
AUIRF7316QTR, Auto Q101 2Pкан -30В -4.9А SO8
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AUIRF7316QTR, Auto Q101 2Pкан -30В -4.9А SO8
Последняя цена
89 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
AUIRF7316QTR
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1756407
Технические параметры
Структура
2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
4.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.058 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2
Корпус
soic-8
Техническая документация
AUIRF7316Q datasheet , pdf
, 222 КБ
Datasheet AUIRF7316QTR , pdf
, 257 КБ