AUIRF7309QTR, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 4 А, 0.05 Ом, SOIC, Surface Mount, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 370 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Массив Mosfet N и P-канал 30 В, 4 А, 3 А, 1,4 Вт, поверхностный монтаж 8-SO

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

AUIRF7309QTR

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1150891

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

1.4Вт

Полярность Транзистора

N и P Дополнение

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

4А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.05Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.5

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Series

HEXFETВ® ->

Base Product Number

AUIRF7309 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4A, 3A

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

ECCN

EAR99

FET Type

N and P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 15V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-SO

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250ВµA

FET Feature

Logic Level Gate

Power - Max

1.4W

Техническая документация

Datasheet , pdf , 457 КБ

AUIRF7309QTR, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 4 А, 0.05 Ом, SOIC, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 370 руб.

Техническая документация