ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
APT13005TF-G1, Высоковольтный биполярный транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
APT13005TF-G1, Высоковольтный биполярный транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
APT13005TF-G1, Высоковольтный биполярный транзистор
Последняя цена
69 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
High Voltage Transistors, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
APT13005TF-G1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1147896
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0,9 В
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
4 МГц (мин.)
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage
10 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage
700 В
Package Type
TO-220F
Maximum DC Collector Current
4 А
Максимальное напряжение коллектор-база
10 V
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
10.3 x 4.9 x 16мм
Высота
16мм
Длина
10.3мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
APT1300
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Tube
Ширина
4.9мм
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,9 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
28 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Максимальный пост. ток коллектора
4 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Максимальная рабочая частота
4 МГц (мин.)
Число контактов
3
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1,3 В
Тип корпуса
TO-220F
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,3 В
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
8
Техническая документация
Datasheet APT13005TF-G1 , pdf
, 307 КБ