APT13003LZTR-G1, Биполярный транзистор, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 17 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

High Voltage Transistors, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

APT13003LZTR-G1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1147894

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,5 В

Number of Elements per Chip

Length

4.7мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Package Type

TO-92

Maximum Power Dissipation

800 mW

Maximum DC Collector Current

800 mA

Height

4.7mm

Maximum Emitter Base Voltage

9 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

4.7 x 3.7 x 4.7мм

Высота

4.7

Длина

4.7

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

3.7мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

800 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

700 В

Максимальный пост. ток коллектора

800 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

Тип корпуса

TO-92

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

APT13003LZTR-G1, Биполярный транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 17 руб.