APT13003HZTR-G1, Биполярный транзистор, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 21 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

High Voltage Transistors, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

APT13003HZTR-G1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1147893

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Base Product Number

APT13003 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

1.5A

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

13 @ 500mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

4MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Power - Max

1.1W

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 250mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

465V

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

10 V

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

4.7 x 3.7 x 4.7мм

Высота

4.7

Длина

4.7

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

3.7мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,4 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,1 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

800 В

Максимальный пост. ток коллектора

1.5 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Максимальная рабочая частота

4 МГц (мин.)

Число контактов

Тип корпуса

TO-92

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,2 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet APT13003HZTR-G1 , pdf , 402 КБ

APT13003HZTR-G1, Биполярный транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 21 руб.

Техническая документация