APT13003EZTR-G1, Высоковольтный биполярный транзистор, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

High Voltage Transistors, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

APT13003EZTR-G1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1147892

Технические параметры

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Transistor Type

NPN

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.4 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

4 (Min.) MHz

Number of Elements per Chip

Length

4.7мм

Maximum Collector Base Voltage

10 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum Collector Emitter Voltage

700 В

Package Type

TO-92

Maximum Power Dissipation

1.1 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

3.7мм

Maximum DC Collector Current

1,5 А

Pin Count

Dimensions

4.7 x 3.7 x 4.7mm

Maximum Emitter Base Voltage

9 В

Minimum DC Current Gain

Высота

4.7мм

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.2 V

APT13003EZTR-G1, Высоковольтный биполярный транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.