ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AOT8N50, Транзистор N-MOSFET 500В 8А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Alpha & Omega
AOT8N50, Транзистор N-MOSFET 500В 8А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AOT8N50, Транзистор N-MOSFET 500В 8А [TO-220]
Последняя цена
34 руб.
Сравнить
Описание
N-канал 500V 8A (Tc) 192W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Информация
Производитель
Alpha & Omega
Артикул
AOT8N50
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1755495
Технические параметры
Вес, г
2.047
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1042pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250ВµA
Other Related Documents
http://aosmd.com/media/AOSGreenPolicy.pdf
Техническая документация
datasheet (1) , pdf
, 148 КБ
Datasheet AOT8N50 , pdf
, 489 КБ