ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2Т819А (2N5068), Транзистор N-P-N 100В 15А 100Вт 3Мгц TO3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Россия
2Т819А (2N5068), Транзистор N-P-N 100В 15А 100Вт 3Мгц TO3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2Т819А (2N5068), Транзистор N-P-N 100В 15А 100Вт 3Мгц TO3
Последняя цена
100 руб.
Сравнить
Описание
Транзистор
2Т819А
кремниевый мезаэпитаксиально-планарный N-P-N структура, переключательный.
2Т819А предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Информация
Производитель
Россия
Артикул
2Т819А (2N5068)
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749750
Технические параметры
Вес, г
20
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
3
Корпус
кт-9(то-3)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
3