ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2Т818А (2N5880), Транзистор P-N-P 100В 15А 100Вт 3Мгц TO3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Россия
2Т818А (2N5880), Транзистор P-N-P 100В 15А 100Вт 3Мгц TO3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2Т818А (2N5880), Транзистор P-N-P 100В 15А 100Вт 3Мгц TO3
Последняя цена
240 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Россия
Артикул
2Т818А (2N5880)
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749748
Технические параметры
Вес, г
0.016
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
100
Корпус
кт-9(то-3)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
3