ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2STF1360, Транзистор NPN 60В 3A [SOT-89] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
2STF1360, Транзистор NPN 60В 3A [SOT-89]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2STF1360, Транзистор NPN 60В 3A [SOT-89]
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
NPN-транзисторы общего назначения, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
2STF1360
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749709
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.1
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Высота
1.6мм
Длина
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.6мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
130 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-89
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,2 В
Производитель
STMicroelectronics
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 437 КБ