2STD1665T4, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 6 А, 15 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Очень низкое напряжение насыщения между коллектором и эмиттером
• Высокая характеристика усиления по току
• Быстрая скорость переключения
• Хорошо контролируемый параметр hFE для повышения надежности

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

2STD1665T4

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1073163

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

65В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252 (DPAK)

Рассеиваемая Мощность

15Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

6А

DC Усиление Тока hFE

320hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.413

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

150 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.4 x 6.6 x 6.2мм

Высота

2.4мм

Длина

6.6мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

6.2мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,6 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

15 W

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 V

Максимальный пост. ток коллектора

6 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 V

Число контактов

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.15 V

Производитель

STMicroelectronics

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet 2STD1665T4 , pdf , 251 КБ

2STD1665T4, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 6 А, 15 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация