ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK545-11D-TB-E, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 40 В, 55 мкА, 95 мкА, -4 В, SOT-23, JFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
2SK545-11D-TB-E, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 40 В, 55 мкА,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
2SK545-11D-TB-E, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 40 В, 55 мкА, 95 мкА, -4 В, SOT-23, JFET
Последняя цена
20 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
2SK545-11D-TB-E
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1073132
Технические параметры
Количество Выводов
3 Вывода
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Напряжение Пробоя Vbr
40В
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
-4В
Тип Транзистора
JFET
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)
95мкА
Вес, г
0.4
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)
55мкА
Максимальная Рабочая Температура
125 C
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 284 КБ