ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK3566, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 2,5А, 40Вт, TO220FP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SK3566, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 2,5А, 40Вт, TO220FP
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
2SK3566, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 2,5А, 40Вт, TO220FP
Последняя цена
250 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SK3566(STA4,Q,M)
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2156055
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
1.63
Mounting Type
Through Hole
Ширина
4.5 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
500
Серия
2SK3566
Торговая марка
Toshiba
Длина
10 mm
Высота
15 mm
Id - непрерывный ток утечки
2.5 A
Pd - рассеивание мощности
40 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
900 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
2 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220FP-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
TC74VCX2125 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
900V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
RoHS Status
RoHS Compliant
Supplier Device Package
TO-220SIS
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
5.6 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Series
ПЂ-MOSIV ->
Qg - заряд затвора
12 nC
Время нарастания
20 ns
Время спада
30 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Техническая документация
Datasheet 2SK3566(STA4.Q.M) , pdf
, 213 КБ
Datasheet 2SK3566(STA4,Q,M) , pdf
, 216 КБ