ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK2731T146 транзистор, N-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SMT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
2SK2731T146 транзистор, N-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SMT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SK2731T146 транзистор, N-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SMT
Последняя цена
73 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные MOSFET-транзисторы, ROHM
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
2SK2731T146 транзистор
P/N
2SK2731T146
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1742945
Технические параметры
Вес, г
0.5
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.6мм
Высота
1.1mm
Количество элементов на ИС
1
Brand
ROHM
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Длина
2.9мм
Тип корпуса
SMT
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Число контактов
3
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Power Dissipation
200 mW
Maximum Drain Source Resistance
2.8 Ω
Техническая документация
Datasheet 2SK2731T146 , pdf
, 123 КБ