ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK209-Y(TE85L,F), Transistor JFET N-Ch 50V 3mA S-Mini3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SK209-Y(TE85L,F), Transistor JFET N-Ch 50V 3mA S-Mini3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
2SK209-Y(TE85L,F), Transistor JFET N-Ch 50V 3mA S-Mini3
Последняя цена
54 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
N-канальный JFET, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SK209-Y(TE85L,F)
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1073121
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Length
2.9мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 → 3.0mA
Brand
Toshiba
Тип корпуса
SOT-346 (SC-59)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ширина
1.5мм
Height
1.1мм
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Число контактов
3
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Конфигурация
Одиночный
Channel Type
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V