ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK208-R(TE85L,F), Транзистор JFET N-канал 50В 2-3F1B/SC-59/TO-236MOD - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SK208-R(TE85L,F), Транзистор JFET N-канал 50В 2-3F1B/SC-59/TO-236MOD
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
2SK208-R(TE85L,F), Транзистор JFET N-канал 50В 2-3F1B/SC-59/TO-236MOD
Последняя цена
51 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный JFET, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SK208-R(TE85L,F)
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1749650
Технические параметры
Вес, г
0.05
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Length
2.9mm
Idss Drain-Source Cut-off Current
0.3 → 0.75mA
Brand
Toshiba
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Channel Type
N
Transistor Configuration
Single
Package Type
SOT-346 (SC-59)
Width
1.5mm
Pin Count
3
Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Техническая документация
2SK208 , pdf
, 291 КБ