ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK1358, Транзистор, N-канал [TO-3P] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SK1358, Транзистор, N-канал [TO-3P]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SK1358, Транзистор, N-канал [TO-3P]
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SK1358
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1749642
Технические параметры
Вес, г
4.6
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
1.4 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
150
Крутизна характеристики, S
2
Корпус
SC-65/2-16C1B
Пороговое напряжение на затворе
3.5
Техническая документация
2sk1358 , pdf
, 570 КБ