ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK1062(F), Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SK1062(F), Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SK1062(F), Транзистор
Последняя цена
64 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET N-Channel, серия 2SK, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SK1062(F)
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1813628
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Toshiba
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Длина
2.9мм
Серия
2SK
Тип корпуса
SOT-346 (SC-59)
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Число контактов
3
Maximum Power Dissipation
200 мВт
Height
1.1мм
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Type
N