ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SJ652-1E, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 28 А, 0.0285 Ом, TO-220, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
2SJ652-1E, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 28 А, 0.0285 Ом, TO-…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
МОП-транзисторы 600В или более
8
2SJ652-1E, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 28 А, 0.0285 Ом, TO-220, Through Hole
Последняя цена
360 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
2SJ652-1E
Категория
МОП-транзисторы 600В или более
Номенклатурный номер
1073118
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
to-220
Рассеиваемая Мощность
30Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
28А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0285Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.6В
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
2.73
Техническая документация
Datasheet 2SJ652-1E , pdf
, 250 КБ